Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB2P25TM
MOSFET P-CH 250V 2.3A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB2P25TM
FQB2P25TM Hakkında
FQB2P25TM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 4Ω maksimum RDS(on) değeri ile güç elektronik uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrolü işlevlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve tüketici uygulamalarında, özellikle güç kaynakları, motor kontrol devrelerinde ve DC-DC dönüştürücülerde yer alır. Düşük gate şarj gereksinimi (8.5nC @ 10V) hızlı anahtarlama sağlar. Ürün kullanımdan kaldırılmış (obsolete) olup, sınırlı stokta bulunabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 52W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4Ohm @ 1.15A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok