Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB2NA90TM

MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB2NA90TM

FQB2NA90TM Hakkında

FQB2NA90TM, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel MOSFET transistördür. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 2.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 5.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında, AC/DC güç dönüştürücülerinde, motor sürücülerinde ve endüstriyel kontrolü sistemlerinde kullanılır. ±30V gate voltaj toleransı ve 20nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Not: Bu ürün artık üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8Ohm @ 1.4A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok