Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB2N90TM
MOSFET N-CH 900V 2.2A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB2N90TM
FQB2N90TM Hakkında
FQB2N90TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilim (Vdss) ve 2.2A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paket ile sağlanır. 10V drive geriliminde 7.2Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge değeri 15nC (@10V) olup hızlı anahtarlama gerektiren devrelerde tercih edilir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında kararlı performans sunar. Güç dönüştürücüler, switching power supplies, motor kontrol ve high-voltage switching uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Üretici tarafından discontinued (end-of-life) durumunda bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 500 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok