Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB2N80TM
MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB2N80TM
FQB2N80TM Hakkında
FQB2N80TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 800V drain-source gerilimi ve 2.4A sürekli dren akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç kontrolü, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında yer alır. 10V gate sürüş gerilimiyle çalışan transistör, 6.3Ω maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunmaktadır. Surface mount montajı sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun bir çözümdür. Not: Bu ürün obsolete (üretimi sonlandırılmış) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.3Ohm @ 900mA, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok