Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB2N60TM
MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB2N60TM
FQB2N60TM Hakkında
FQB2N60TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V dren-kaynak gerilimi ve 2.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama görevini yerine getirir. TO-263 (D²PAK) yüzey montaj paketiyle sunulan bu transistör, güç kaynakları, invertörler, motor sürücüleri ve sürücü devrelerinde kullanılır. 4.7Ω maksimum RDS(ON) değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Lütfen bu ürünün eski (obsolete) durumda olduğunu ve yerine geçen alternatif modeller kullanılmasını göz önünde bulundurun.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 64W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7Ohm @ 1.2A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok