Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB2N50TM
MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB2N50TM
FQB2N50TM Hakkında
FQB2N50TM, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltaj ve 2.1A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) paketindeki bu bileşen, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve SMPS (Switch Mode Power Supply) tasarımlarında tercih edilir. 5.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletkenlik sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında geniş kullanım alanına sahiptir. Ürün artık üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3Ohm @ 1.05A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok