Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB2N50TM
MOSFET N-CH 500V 2.1A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB2N50TM
FQB2N50TM Hakkında
FQB2N50TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 2.1A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama kaybını minimize eder. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel güç uygulamaları, anahtarlama kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi alanlarda tercih edilir. Maksimum 55W güç tüketim kapasitesi ile termal yönetim açısından esnek kullanım imkanı sağlar. Cihaz obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 55W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3Ohm @ 1.05A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok