Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB2N30TM

MOSFET N-CH 300V 2.1A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB2N30TM

FQB2N30TM Hakkında

FQB2N30TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 300V drain-source voltaj ve 2.1A sürekli drenaj akımı özellikleriyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 3.7Ω (maksimum) RDS(on) değeriyle verimli anahtarlama sağlar. TO-263-3 (D²PAK) yüzey monte paket içerisinde gelmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yer bulur. 40W maksimum güç tüketimi (soğutucu sıcaklığında) ile thermal yönetimi destekler. Not: Bu parça obsolete (üretim dışı) durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.7Ohm @ 1.05A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok