Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB27P06TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB27P06
FQB27P06TM Hakkında
FQB27P06TM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel Power MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 27A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 70mΩ maksimum on-state dirençi ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 120W güç yayabilir. Motor kontrol devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve güç dönüştürücülerinde yaygın olarak kullanılır. 10V gate sürülüştür ve 43nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 13.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok