Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB27N25TM-F085P

250V, 26A, 108M, D2PAKN-CHANNEL

Üretici
Flip Electronics
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB27N25TM

FQB27N25TM-F085P Hakkında

FQB27N25TM-F085P, Flip Electronics tarafından üretilen 250V, 26A kapasiteli N-Channel MOSFET transistörüdür. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı pakete sahip bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrolü işlevlerinde kullanılır. 131mOhm RDS(On) değeri ile düşük iletim kaybı sağlarken, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenli şekilde çalışır. Endüstriyel güç yönetimi, motor kontrol, AC/DC dönüştürücüler ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 49nC gate charge ve 1330pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun karakteristikler sunmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1330 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 417W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 131mOhm @ 25.5A, 10V
Supplier Device Package TO-263 (D2Pak)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok