Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB27N25TM-F085
FQB27N25 - N-CHANNEL ULTRAFET 25
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB27N25
FQB27N25TM-F085 Hakkında
FQB27N25TM-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source voltajında 25.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 131mΩ maksimum on-resistance değeri ile düşük kaybında çalışır. TO-263 (D²PAK) yüzey montaj pakajında sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetim sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan transistör, maksimum 417W güç dağıtabilen uygulamalarında tercih edilir. 10V gate sürüş voltajında optimize edilmiş karakteristikleri vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 417W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 131mOhm @ 25.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok