Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB27N25TM_AM002

MOSFET N-CH 250V 25.5A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB27N25TM

FQB27N25TM_AM002 Hakkında

FQB27N25TM_AM002, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 250V drain-source gerilimi ve 25.5A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 110mΩ (10V, 12.75A) on-state direnci sayesinde düşük enerji kaybı sağlar. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulur. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge karakteristiği 65nC (10V) ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2450 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 12.75A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok