Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB25N33TM-F085
MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB25N33TM
FQB25N33TM-F085 Hakkında
FQB25N33TM-F085, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 330V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 230mOhm maksimum on-state direnci ve 75nC gate charge değerleriyle anahtarlama devrelerinde, güç kaynakları, motor kontrolü ve indüktif yükler gibi uygulamalarda yer alır. 10V drive voltajı ile kontrol edilebilir ve 3.1W (Ta) / 250W (Tc) güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Dikkat: Bu ürün artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 330 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2010 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 230mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok