Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB25N33TM

MOSFET N-CH 330V 25A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB25N33TM

FQB25N33TM Hakkında

FQB25N33TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 330V drain-source gerilimi ve 25A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama hızı gerektiren güç dönüştürücü, motor kontrolü ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda yer alır. 230mOhm (10V, 12.5A) RDS(on) değeri ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 330 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2010 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 230mOhm @ 12.5A, 10V
Supplier Device Package D2PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok