Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB20N06TM
MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB20N06TM
FQB20N06TM Hakkında
FQB20N06TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj (Vdss) ve 20A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 10V gate voltajında 60mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile enerji verimliliğini sağlar. TO-263-3 (D²PAK) yüzey monte paketinde sunulur. Düşük gate yükü (15nC @ 10V) sayesinde hızlı komütasyon karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Motor sürücüleri, güç yönetimi, anahtarlama devreleri ve DC-DC konvertörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 53W güç tüketimini 25°C bağlantı sıcaklığında yönetebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok