Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB20N06TM
MOSFET N-CH 60V 20A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB20N06TM
FQB20N06TM Hakkında
FQB20N06TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uygun ve 60mΩ maksimum RDS(on) değeriyle verimli iletim sağlar. Gate charge değeri 15nC ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel kontrol, güç dönüştürme, motor kontrol ve anahtarlamaya dayalı güç uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Not: Bu ürün üretim dışı (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 590 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok