Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB20N06LTM
MOSFET N-CH 60V 21A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB20N06L
FQB20N06LTM Hakkında
FQB20N06LTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ve 21A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) SMD paketlemesi sayesinde kompakt PCB tasarımlarında yer tasarrufu sağlar. 55mOhm maksimum RDS(on) değeri ile açık durumda düşük enerji kaybı karakteristik gösterir. Gating işlemleri için 5V ve 10V drive voltajlarında çalışabilir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. Motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konverterler ve benzer düşük-orta güç kontrol devrelerinde uygulanabilir. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 630 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok