Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB1P50TM
MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB1P50TM
FQB1P50TM Hakkında
FQB1P50TM, onsemi tarafından üretilen 500V P-Channel MOSFET transistörüdür. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 1.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 10.5Ω RDS(On) değeri ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp sağlar. Gate kapasitesi 350pF ve gate yükü 14nC olarak tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 63W'a kadar güç hava akışında yayabilir. Yüksek voltaj güç kaynaklarında, motor kontrol devrelerinde ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±30V gate voltajı aralığında çalışır ve 5V gate eşik voltajında tetiklenir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 63W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5Ohm @ 750mA, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok