Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB19N20TM
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB19N20TM
FQB19N20TM Hakkında
FQB19N20TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 19.4A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 150mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve elektrik çevirici sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 9.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok