Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB19N20LTM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB19N20L
FQB19N20LTM Hakkında
FQB19N20LTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 200V Drain-Source gerilim (Vdss) ve 21A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 140mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına ve 140W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç yönetim devrelerinde kullanılır. 35nC gate charge ve 2200pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok