Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB19N20LTM
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB19N20L
FQB19N20LTM Hakkında
FQB19N20LTM, onsemi tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 21A sürekli drain akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. D²PAK (TO-263) yüzey montajlı paketlemesi sayesinde kompakt tasarımlar için uygundur. 140mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük konduction kayıpları sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç kaynağı tasarımları ve endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışan cihazlarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 10.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok