Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB19N20CTM
MOSFET N-CH 200V 19A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB19N20CTM
FQB19N20CTM Hakkında
FQB19N20CTM, onsemi tarafından üretilen 200V N-Channel MOSFET'tir. 19A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektroniklerinde anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, düşük 170mOhm RDS(on) değeri sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. Endüstriyel motor kontrol, switching power supplies ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın şekilde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1080 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 139W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok