Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB19N10L
FQB19N10LTM Hakkında
FQB19N10LTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drenaj-kaynak gerilimi ve 19A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlar için idealdir. 10V gate sürme geriliminde 100mΩ maksimum RDS(on) değeri ile iletim kayıpları düşüktür. Anahtarlama hızı 18nC gate yükü ile belirlenmiştir. Endüstriyel kontrol, motor sürücü devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok