Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB19N10LTM
MOSFET N-CH 100V 19A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB19N10LTM
FQB19N10LTM Hakkında
FQB19N10LTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 19A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama ve sürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, maksimum 100mΩ on-resistance değeri ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetim uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge (18nC @ 5V) özelliği hızlı anahtarlama işlemleri için uygun kılarken, geniş sıcaklık aralığı güvenilir uzun süreli işletim imkanı verir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 870 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok