Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB17P10TM
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB17P10TM
FQB17P10TM Hakkında
FQB17P10TM, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 100V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ile tasarlanmış olup, 25°C'de 16.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 190mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge karakteristiği 39nC (@10V) olarak belirtilmiştir. Surface mount D2PAK (TO-263-3) paketine sahip olan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışır. Güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devrelerinde ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. Maksimum ±30V gate-source gerilimi toleransına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 8.25A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok