Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB17P10TM
MOSFET P-CH 100V 16.5A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB17P10TM
FQB17P10TM Hakkında
FQB17P10TM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 16.5A sürekli drain akımı ile güç anahtarlama ve yönetim uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımlarına uygun olup, -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 190mOhm on-state direnci ve düşük gate charge karakteristiği ile motor kontrolü, güç kaynakları, batarya yönetimi ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Maksimum ±30V gate-source gerilimi toleransı ve 100W (Tc) güç dissipasyonu kapasitesi ürünü çeşitli güç uygulamalarına uygun hale getirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 8.25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok