Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB17P06TM
MOSFET P-CH 60V 17A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB17P06
FQB17P06TM Hakkında
FQB17P06TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç kaynakları ve load switching uygulamalarında tercih edilir. 120mOhm'luk maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arası geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 8.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok