Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB17N08TM
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB17N08TM
FQB17N08TM Hakkında
FQB17N08TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V dren-kaynak voltajı ve 16.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paketine sahip olan bu bileşen, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol uygulamalarında ve güç yönetimi sistemlerinde yer alır. 115mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletim sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen cihazın gate şarjı 15nC olup, hızlı anahtarlama özellikleri vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 8.25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok