Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB17N08LTM
MOSFET N-CH 80V 16.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB17N08L
FQB17N08LTM Hakkında
FQB17N08LTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 16.5A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yer alır. 100mΩ maksimum on-direnç (10V gate geriliminde) ve 11.5nC gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Parça durumu kullanımdan kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 65W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 8.25A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok