Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB16N15TM
MOSFET N-CH 150V 16.4A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB16N15TM
FQB16N15TM Hakkında
FQB16N15TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 16.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında ve güç dönüştürme devrelerinde kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi ile sağlanan transistör, 10V kapı geriliminde 160mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen FQB16N15TM, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler, güç amplifikatörleri ve anahtarlı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 30nC gate charge ve 910pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama işlemleri için uygun tasarım özellikleridir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 910 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 108W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 8.2A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok