Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB15P12TM
MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB15P12TM
FQB15P12TM Hakkında
FQB15P12TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 120V drain-source gerilimi ve 15A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 200mΩ maksimum on-direnç değeri (Rds On), 10V sürme gerilimiyle elde edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır. 3.75W (Ta) güç tüketim kapasitesi ile düşük güç kayıpı sağlar. Gümrük kontrol ve ters polarite koruması uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir. Güncel üretimde bulunmamaktadır (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok