Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB15P12TM
MOSFET P-CH 120V 15A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB15P12TM
FQB15P12TM Hakkında
FQB15P12TM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 120V Drain-Source voltaj ile 15A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V drive voltajında 200mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (-55°C ile 175°C) stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve güç kaynakları gibi alanlarda yaygın olarak kullanılan bir komponenttir. 3.75W (Ta) ile 100W (Tc) arasında değişen güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok