Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB13N50CTM
MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB13N50CTM
FQB13N50CTM Hakkında
FQB13N50CTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 13A sürekli dren akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında güç anahtarlaması görevini yerine getirir. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 10V gate geriliminde 480mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılır. Anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 195W güç saçabilme kapasitesi ile çeşitli güç yönetimi sistemlerinde entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2055 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 195W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok