Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB13N50CTM
MOSFET N-CH 500V 13A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB13N50C
FQB13N50CTM Hakkında
FQB13N50CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltajı ve 13A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt tasarımlara uyum sağlar. 480mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 56nC ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. ±30V maksimum gate voltajı ve 4V threshold voltajı ile geniş kontrol aralığına sahiptir. 195W maksimum güç dağılımı kapasitesi ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılabilir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2055 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 195W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 6.5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok