Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

FQB13N06TM

MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
FQB13N06TM

FQB13N06TM Hakkında

FQB13N06TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim ve 13A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu transistör, 10V kapı geriliminde 135mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve düşük kapı yükü (7.5nC @ 10V), anahtarlama hızını ve verimini optimize eder. Motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu ürün Obsolete (üretim durdurulmuş) durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 13A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 135mOhm @ 6.5A, 10V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±25V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok