Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB13N06LTM
MOSFET N-CH 60V 13.6A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB13N06LTM
FQB13N06LTM Hakkında
FQB13N06LTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 13.6A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 110mOhm maksimum RDS(On) değeri ve 6.4nC gate charge ile hızlı komütasyon performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç yönetimi ve LED aydınlatma uygulamalarında yaygın olarak yer alır. Maksimum gate voltajı ±20V olup, 2.5V threshold voltajında açılmaya başlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 45W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 6.8A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok