Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB12P20TM
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB12P20TM
FQB12P20TM Hakkında
FQB12P20TM, onsemi tarafından üretilen bir P-Channel MOSFET transistördür. 200V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 11.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V sürüş geriliminde 470mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 3.13W (Ta) ve 120W (Tc) maksimum güç tüketim değerleriyle tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1200 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 120W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 470mOhm @ 5.75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok