Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB12P10TM
MOSFET P-CH 100V 11.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB12P10
FQB12P10TM Hakkında
FQB12P10TM, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 11.5A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 10V gate drive voltajında 290mΩ maksimum on-state direnç değerine sahiptir. 27nC gate charge ve 800pF input kapasitans özellikleriyle, anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde kullanıma uygundur. Maksimum 75W (Tc) güç tüketimi kapasitesi, ısıl yönetim gerektiren endüstriyel ve tüketici elektroniksi uygulamalarında yer alabilir. Bileşen güncel üretimde bulunmamakta olup, yüksek voltaj ve akım gerektiren devrelerde alternatif seçeneklerin değerlendirilmesi önerilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.75W (Ta), 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290mOhm @ 5.75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok