Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB12N60TM
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB12N60TM
FQB12N60TM Hakkında
FQB12N60TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 600V drain-source geriliminde 10.5A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, yüksek gerilim uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. 700mOhm maksimum on-resistance değeri ile verimli güç transferi sağlar. TO-263-3 (D²Pak) paketinde sunulan komponent, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate şarj kapasitesi 54nC, giriş kapasitansi 1900pF olarak belirtilmiştir. Güç kaynakları, motor kontrolleri, DC-DC dönüştürücüler ve diğer güç elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılır. ±30V gate-source gerilim aralığında çalışır ve 5V threshold voltajına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 180W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 700mOhm @ 5.3A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok