Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB12N60CTM
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB12N60CTM
FQB12N60CTM Hakkında
FQB12N60CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 600V drain-source geriliminde 12A sürekli drenaj akımı sağlayabilen bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirir. D2PAK (TO-263) paket formatında surface mount montajı destekler. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 10V gate geriliminde 650mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Endüstriyel güç dönüştürme, anahtarlamalı güç kaynakları ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. Bileşenin Part Status obsolete olup, yeni tasarımlar için alternatif ürünlerin değerlendirilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2290 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 225W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok