Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB11P06TM
MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB11P06TM
FQB11P06TM Hakkında
FQB11P06TM, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 60V dren-kaynak gerilim (Vdss) ile 11.4A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 10V gate sürücü geriliminde 175mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama yelpazesini destekler. 17nC gate yükü ve 550pF giriş kapasitansı hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok