Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB11P06TM
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB11P06
FQB11P06TM Hakkında
FQB11P06TM, Rochester Electronics tarafından üretilen P-Channel güç MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 11.4A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 10V gate sürücü geriliminde 175mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi uygulamalarında, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüleri ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 53W ısıl güç dağıtım kapasitesi ve 550pF giriş kapasitansi sayesinde hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok