Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB11N40TM
MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB11N40TM
FQB11N40TM Hakkında
FQB11N40TM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 400V Drain-Source gerilimi ve 11.4A sürekli Drain akımı kapasitesi ile yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 10V gate sürme geriliminde 480mOhm maksimum Rds(On) değerine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu MOSFET, güç yönetimi, motor denetimi, şarj devreleri ve AC/DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. 35nC gate charge ve 1400pF input capacitance özellikleri hızlı anahtarlama performansı sağlar. Ürün halen kullanımda olmayan (obsolete) bir tasarımır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 5.7A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok