Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB11N40CTM
MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB11N40CTM
FQB11N40CTM Hakkında
FQB11N40CTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 400V drain-source gerilimi ve 10.5A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve motor sürücü devrelerinde tercih edilir. 530mOhm (10V, 5.25A) Rds(on) değeri ile etkin enerji dağılımı sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 135W güç tüketebilir. ±30V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulama aralığına uyarlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 400 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1090 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 530mOhm @ 5.25A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok