Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB10N60CTM
MOSFET N-CH 600V 9.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB10N60CTM
FQB10N60CTM Hakkında
FQB10N60CTM, onsemi tarafından üretilen 600V N-Channel MOSFET transistördür. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile sunulan bu bileşen, 25°C'de 9.5A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 730mOhm (10V, 4.75A) on-resistance değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. 57nC gate charge ve 2040pF input capacitance karakteristikleri ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uyumludur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. ±30V maksimum gate-source voltajı ile geniş çalışma aralığı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2040 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 156W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730mOhm @ 4.75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok