Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB10N50CFTM-WS
MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB10N50C
FQB10N50CFTM-WS Hakkında
FQB10N50CFTM-WS, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263) surface mount paketinde sunulan bu transistör, 610mOhm maksimum RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen komponentin maksimum güç dağılımı 143W'tır. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve yüksek gerilim dönüştürücülerinde kullanılan bu transistör, 4V threshold gerilimi ile hızlı tetikleme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2210 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 143W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 610mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok