Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB10N20TM
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB10N20TM
FQB10N20TM Hakkında
FQB10N20TM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltaj (Vdss) ve 10A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. 360mΩ maksimum on-state direnci (Rds On @ 5A, 10V) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. Motor kontrol devreleri, DC-DC konvertörleri, güç yönetimi ve aydınlatma sistemlerinde tercih edilen bir bileşendir. Ürün şu anda obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok