Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB10N20LTM
MOSFET N-CH 200V 10A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB10N20L
FQB10N20LTM Hakkında
FQB10N20LTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile sağlanan komponentin maksimum gate charge değeri 17 nC olup, 360 mOhm RDS(on) direnci vardır. -55°C ile +150°C arasında çalışan bu transistör, motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devrelerinde kullanılır. 10V gate sürücü gerilimi ile çalıştırılabilir ve 87W termal dissipasyon kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 87W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok