Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB10N20CTM
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB10N20CTM
FQB10N20CTM Hakkında
FQB10N20CTM, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drenaj-kaynak gerilimi (Vdss) ve 9.5A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. D²Pak (TO-263) yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, 360mOhm maksimum on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında, 72W maksimum güç saçıtma kapasitesi ile tasarlanmıştır. Gate şarj değeri 26nC'dir. SMPS (Anahtarlamalı Mod Güç Kaynağı), motor sürücüler ve güç yönetimi devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen halen temin edilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 4.75A, 10V |
| Supplier Device Package | D²PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok