Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
FQB10N20CTM
MOSFET N-CH 200V 9.5A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- FQB10N20C
FQB10N20CTM Hakkında
FQB10N20CTM, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source voltajı ve 9.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 360mOhm maksimum on-direnci ile verimli çalışma sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. 72W maksimum güç disipasyonuyla tasarlanmıştır. Komponent şu anda üretim dışıdır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 4.75A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK (TO-263) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok